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TECHNOLOGIES DU VIDE ET DE L'ULTRAVIDE
Principaux avantages de l'épitaxie par jets moléculaires sont:

- Maîtrise de la structure cristallographique
- Elimination des impuretés
- Suivi avec précision et en temps réel de la croissance de la couche
- Grande flexibilité quant au choix des matériaux à déposer

Les bâtis d’épitaxie par jets moléculaires (MBE) de Méca 2000 peuvent être conçus et réalisés selon vos besoins propres et incorporer tous les composants nécessaires au dépôt (canon à électrons, …) ou à l’anlyse (Rheed, …).

Ils peuvent être équipés des manipulateurs et des porte-échantillons de la gamme Méca 2000 adaptés à tout type de substrat.

Les bâtis MBE de Méca 2000 sont modifiables et adaptables selon vos besoins spécifiques.
Les bâtis d’épitaxie par jets moléculaires (MBE) de Méca 2000 sont destinés à la recherche.

Ils peuvent être conçus et réalisés à partir de votre cahier des charges et incorporer tous les composants nécessaires au dépôt
Ce bâti de MBE a été spécialement étudié pour le dépôt de nitrures.

Conçu dans une technologie MBE de pointe, l’ensemble intègre jusqu’à 9 cellules convergentes sur le substrat (dont 5 avec cache ) et permet d’intégrer notamment un RHEED, un éllipsomètre, un réflectomètre

L’enceinte d’évaporation de diamètre 450 mm intègre un panneau cryogénique de façon à limiter toute montée de pression à proximité
 du substrat lors de la phase de dépôt

Un très grand nombre de brides (>30 au total) permettent de connecter les sources et l’instrumentation de contrôle nécessaires pour obtenir une grande homogénéité de couches.

Fiche système MEGAN (pdf)
                                             


                  AMES 400

Dépôt MBE tous éléments métalliques

Ce bâti de MBE est conçu pour le dépôt de tout élément métallique, en particulier Al, Cr, Mn, Fe, Fe57, Ni, Co, Cu, Ag, Au, Pd, Si, Mo.

Conçu dans une technologie MBE avancée, l’ensemble peut intégrer 5 cellules   d’évaporation et jusqu’à 2 canons à électrons multi-creusets.

Une source d’entrée de gaz permet de travailler en atmosphère oxydante   et 3 balances à quartz permettent d’assurer un contrôle optimal des couches épitaxiées.

L’enceinte d’évaporation de diamètre 450 mm intègre un panneau cryogénique.

Un très grand nombre de brides (20 au total) permettent de connecter les sources et l’instrumentation de con trôle nécessaires pour obtenir une grande homogénéité de couches.

Fiche pdf système AMES 400
EPITAXIE PAR JET MOLECULAIRE (MBE)
VINCI TECHNOLOGIES SA - 27 B Rue du Port - 92022 NANTERRE (FRANCE)     Tel : +33(0) 1.41.37.92.20 / Fax : +33(0) 1.41.37.04.76
CATALOGUE > SYSTEMES UV & UHV > MBE
SYSTEME MEGAN

Système pour le dépôt de nitrures par MBE