La méthode d’ablation laser (PLD) s'est beaucoup développée lors de la découverte des nouveaux oxydes supraconducteurs à haute température critique pour synthétiser des films minces de ces composés. Depuis, cette technique a été appliquée avec succès à de nombreux autres matériaux couvrant une large gamme de propriétés. Certains travaux les plus récents concernent des films optiquement actifs basés sur
des oxydes dopés terres rares.
Le résultat certainement le plus marquant de l'ensemble des travaux menés sur l'ablation laser est de permettre la
croissance épitaxiale de films d'oxydes ou de métaux sur des substrats monocristallins.
L'ablation laser grâce à ses spécificités apparaît potentiellement capable de réaliser en couches minces ce qui est difficile voire impossible en matériaux massifs comme par exemple les nouvelles phases de matériaux.
Un autre exemple concerne la formation de nanocristaux par ablation laser comme par exemple les nanocristaux de GaAs. A plus long terme la formation de nanocomposites par cette méthode apparaît comme le prolongement logique de ces travaux.
Cette technique étant encore récente, Méca 2000 propose aux chercheurs des systèmes adaptés à leur cahier des charges et à leur plan d’expérimentation.
Ces systèmes peuvent intégrer des outils de caractérisation des couches déposées.
DAL 350
Système de dépôt par ablation LASER
La chambre de dépôt sphérique de diamètre 350 mm est équipée de 19 ports permettant de recevoir, en sus du laser Excimer et de son hublot de visualisation, tous les instruments de contrôle et de mesure nécessaires à la bonne maîtrise des conditions d’expérience, et notamment un éllipsomètre, un RHEED, des sources
d’oxygène, …
Le système est conçu pour travailler sur des échantillons de 1’’, chauffables
à 900 °C.
Le système est muni d’un sas d’introduction de l’échantillon.
